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製品情報
 
 
 
パルスビーム方式
 
高性能・陽電子寿命測定装置 PALS-1
<薄膜材料内の原子空孔〜ナノ空孔測定>
 
 
 
特長
大型加速器施設でしかできなかったパルスビーム
方式陽電子寿命測定をそのままラボサイズに
パルスビーム方式で分析深さを自由に制御
(薄膜材料の表面〜数μmの範囲)
原子サイズの分解能で測定
(原子空孔(<0.3nm)〜ポリマー自由体積(<1nm)
〜ナノ空孔(<10nm))
低ダメージ、非破壊測定
PC制御による自動分析
 
 
 
 

仕様と性能
装置サイズ :3.0m(L)x0.6m(D)x1.5m(H)
陽電子源:Na-22密封線源(最大1GBq)
陽電子ビームエネルギー:0.5〜20keV(可変)
時間分解能 :<200ps
γ線計数率:>1,000cps@1GBq
測定時間:1スペクトル<1時間



アプリケーション

LSI材料
Low-k、High-k、Cu配線、歪みSi、バリア膜、
レジスト膜、イオン注入誘起欠陥、etc
化合物半導体薄膜
GaN、ZnO、SiC、GaAs、etc
光学材料、ディスプレイ材料、太陽電池材料、FC材料
ポリマー自由体積
分離膜(RO膜)、ガスバリア膜(太陽電池バックシート、
有機ELバリア層)、メソポーラス材料、etc



オプション
ロードロック機構(手動操作または自動測定機能時)
自動測定機能(ロードロック機構を含む)
空孔連結性の測定(オープンポア/クローズポア)
加熱測定機構
(条件設定しサンプルセット後は自動測定)
様:室温〜200℃複数温度設定。
測定サンプルは1個
成:サンプルステージモジュール、ヒーター電源/
温度コントローラ、自動測定ソフト
応用例:自由体積の温度依存性の分析

 

 

シリコン原子空孔寿命分布解析



イオン注入では、原子衝突によりシリコン原子がはじき出され、2原子サイズの空孔欠陥が形成される。
アニールにより空孔欠陥が消滅する。
 
 
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