LSI多層配線用 めっきCu薄膜の原子空孔分析
- めっき直後のCu膜には１原子サイズの空孔が高密度に導入されている。
- アニールを行うと、再結晶化と同時に原子空孔が動き、より大きな空孔クラスターが形成される。
- 空孔クラスターの形成挙動とSIV(Stress Induced Voiding)の故障率には強い相関がある。
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)と産業技術総合研究所の共同研究
(1) F. Shoji, T. Ohdaira, I. Suzuki, M. Shimada, R. Suzuki, and S. Ogawa, Proc. Advanced Metallization Conf. 2004. Mat. Res. Soc. p.313 (2004)
(2) 大平 俊行，庄子 史人, 鈴木 良一, 島田 美代子, 小川 真一, 2005年春期応用物理学会
UVアニールによるLow-k膜のサブナノ空孔構造変化
- ＵＶ照射による弱い結合基(-CH3)の解離、 脱離→ サブナノ空孔サイズ拡大 → 誘電率減少
- 未結合基の再結合（重合） → 膜強度向上
(株)半導体プロセス研究所と産業技術総合研究所の共同研究
多孔質膜の空孔連結性の評価
- 陽電子消滅γ線のエネルギースペクトルから、空孔が連結した開口空孔(オープンポア)か、あるいは孤立した閉鎖空孔(クローズドポア)かを判別できる。
- この測定はオプション仕様となります。
旭化成株式会社と産業技術総合研究所の共同研究
海水淡水化に用いる分離膜(RO膜)の分析
- RO膜では表面に形成した分離層(厚さ数10nm)の自由体積空孔サイズが、不純物分子の阻止率に強く影響する。
自由体積の温度依存性
