基板加熱機構
■ 基板加熱機構
● 主な仕様
・基板サイズ ：２インチ
・加熱温度 ：700℃（MAX）
・ヒーター ：タンタル
・熱電対 ：A-K
・連続運転 ：任意に調整可能
■ 耐酸素・基板加熱機構
●酸素中で使用できるSiCコートヒーター仕様
● 主な仕様
・基板サイズ ：50mm
・基板加熱温度：1,100℃（MAX）
・ヒーター ：SiCコーティング
・熱電対 ：W-W
■ Ｚモーション＆回転機構付基板加熱機構
● 主な仕様
・加熱温度 ：500℃
（試料裏面）
・移動距離 ：200mm
・回転 ：±180度
■ 一体型・蒸発源付基板加熱機構
●コンパクトなフランジに蒸発源、基板加熱機構、膜厚計、手動シャッター装備
●10テスラの強磁場中で使用可能
● 主な仕様
・加熱温度 ：600℃（MAX）
・熱電対 ：Cu-Ko
三源蒸発源（K-CELL）
■ 三源蒸発源（K-CELL）
● K-CELLを最大４源セット可能
●仕切り板と天板が付いて、異なる蒸発源どうしの影響なし
●主な仕様
・温度 ：500℃（MAX）
・ヒーター ：シース型
・熱電対 ：A-K
・ルツボ ：1cc
６kW‐ＥＢガン
■ 高性能ＥＢガン
●主な仕様
・ルツボ ：10cc
・高圧電圧 ：8kV、0.8A
・フィラメント：10V、30A（MAX）
・スイープコイル ：0.5-10Hz
・電流 ：±2A
・バイアス ：±0.1A
・集束 ：片側0-2A
ＥＢガン電源
■ ＥＢガン電源
ペンシル型ＳＰＭ
■ ペンシル型ＳＰＭ
●ＳＥＭに取り付け、観察しながら簡単なジョイスティック操作で試料を探索できるＳＰＭ
●主な仕様
・試料ステージ：XYZ方向、
粗動・微動
・試料サイズ ：2×7.5×0.5t(mm)
・試料加熱 ：500℃（MAX）
シャッター機構
■ シャッター機構
●Ｚ方向の手動式で、簡単に２箇所の位置決めが可能
●主な仕様
・取り付けフランジ：ICF70
４ch自動リニアモーション機構
■ ４ch自動リニアモーション機構
●Ｚモーションを４台独立して制御可能
●主な仕様
・移動距離 ：0-50mm
・分解能 ：0.625mm/回転
移動式・排気ユニット
■ 移動式・排気ユニット
●市販の台車に排気系を載せたことで、移動が容易しかもコンパクトで安価
●主な仕様
・到達真空 ：1.0×10-8Torr
・排気系は任意に選択可能