基板加熱機構

 基板加熱機構

● 主な仕様
・基板サイズ :2インチ
・加熱温度  :700℃(MAX)
・ヒーター  :タンタル
・熱電対   :A-K
・連続運転  :任意に調整可能

 耐酸素・基板加熱機構

●酸素中で使用できるSiCコートヒーター仕様
● 主な仕様
・基板サイズ :50mm
・基板加熱温度:1,100℃(MAX)
・ヒーター  :SiCコーティング
・熱電対   :W-W
 

 Zモーション&回転機構付基板加熱機構

● 主な仕様
・加熱温度  :500℃
        (試料裏面)
・移動距離  :200mm
・回転    :±180度

 

 一体型・蒸発源付基板加熱機構

●コンパクトなフランジに蒸発源、基板加熱機構、膜厚計、手動シャッター装備
●10テスラの強磁場中で使用可能
● 主な仕様
・加熱温度  :600℃(MAX)
・熱電対   :Cu-Ko

三源蒸発源(K-CELL)

 三源蒸発源(K-CELL)

● K-CELLを最大4源セット可能
●仕切り板と天板が付いて、異なる蒸発源どうしの影響なし
●主な仕様
・温度    :500℃(MAX)
・ヒーター  :シース型
・熱電対   :A-K
・ルツボ   :1cc

6kW‐EBガン

 高性能EBガン

●主な仕様
・ルツボ   :10cc
・高圧電圧  :8kV、0.8A
・フィラメント:10V、30A(MAX)
スイープコイル :0.5-10Hz
・電流    :±2A
・バイアス  :±0.1A
・集束    :片側0-2A

EBガン電源

 EBガン電源

ペンシル型SPM

 ペンシル型SPM

●SEMに取り付け、観察しながら簡単なジョイスティック操作で試料を探索できるSPM
●主な仕様
・試料ステージ:XYZ方向、
        粗動・微動
・試料サイズ :2×7.5×0.5t(mm)
・試料加熱  :500℃(MAX)

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シャッター機構

 シャッター機構

●Z方向の手動式で、簡単に2箇所の位置決めが可能
●主な仕様
・取り付けフランジ:ICF70



4ch自動リニアモーション機構

 4ch自動リニアモーション機構

●Zモーションを4台独立して制御可能
●主な仕様
・移動距離  :0-50mm
・分解能   :0.625mm/回転


移動式・排気ユニット

 移動式・排気ユニット

●市販の台車に排気系を載せたことで、移動が容易しかもコンパクトで安価
●主な仕様
・到達真空  :1.0×10-8Torr
・排気系は任意に選択可能